semiconductoare

Spre deosebire de metale, într-un semiconductor, la temperatura camerei, există mult mai puţini electroni «liberi». Din această cauză, conductivitatea semiconductoarelor este de cea. 10′ ori mai mică decît a metalelor. Ea poate fi mărită, rupînd legăturile electronice exis­tente intre atomii substanţelor semiconductoare (germaniu. siliciu), aşa cum reiese din sche­mele structurii cristaline (fig. 1 şi 2). Prin introducerea de atomi străini (cu valenţă mai mare sau mai mică decît valenţa patru a germaniului şj a siliciului). care devin puncte de perturbare în reţeaua cristalină, conductivitatea semiconductoarelor poate fi modificată în limite foarte largi. Se numeşte donor un atom străin (pentavalent) care poate ceda un electron, iar acceptor un atom (trivalent) care poate primi un electron. în cazul dopării semiconductorului cu impu­rităţi acceptoare, are loc o conducţie pozitivă, adică circulă purtători de sarcini pozitive (conducţie prin goluri); o conducţie negativă este provocată de un excedent de electroni, datorită dopării semiconductorului cu impurităţi donoare. La contactul unor zone conduc-tive pozitive (de tip p), respectiv negative (de tip n) apare o zonă-limită, adică un strat cu rezistenţă mare, numit regiune de trecere a joncţiunii (fig. 6). Aplicarea unei tensiuni mă­reşte sau micşorează regiunea de trecere după polaritatea sursei. In figurile 3 şi 5 sînţ repre­zentate benzile energetice dintr-un semiconductor. Pe ordonată se reprezintă energia elec­tronilor E, iar pe abcisă lungimea. Zona AE se numeşte «zonă interzisă». Elementele semiconductoare care conţin un strat semiconductor dopai p şi unul dopat n (o joncţiune p-n sau n-p) se numesc diode semiconductoare. Elementele semiconductoare cu două jonc­ţiuni de genul celor descrise se numesc tranzisioare (fig. 7) sau triode semiconductoare. Cei trei electrozi ai tranzistorului se numesc emiter, bază şi colector. Pentru o bună funcţionare, astfel ca purtătorii de sarcini să treacă din zona emiterului prin regiunea de trecere / şi prin zona bazei ca să poată influenţa fenomenele din regiunea de trecere 2, este necesară o bază îngustă (50 //): in acest fel se comandă curentul între bază şi colector. Aceasta permite folo­sirea tranzistorului pentru amplificarea şi generarea oscilaţiilor. Tranzistoarele înlocuiesc tuburile cu emisie termoelectronică într-o măsură tot mai mare, deoarece au avantajul unui volum mai mic şi nu se încălzesc datorită pierderilor de energie prin disipare.

semiconductoare

Leave a Reply

You can use these HTML tags

<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>